Konesans

PERT selil solè | Tout sa ou bezwen konnen

PERT selil solè | Tout sa ou bezwen konnen

Selil solè PERT yo klase trè pami teknoloji enèji solè ki gen anpil efikasite ki ka enkòpore nan konsepsyon selil solè mono feminen ak bifas. 

Menmsi selil solè PERT yo yon ti jan pi chè pou fabrike pase tokay konvansyonèl Silisyòm yo epi yo itilize prensipalman nan endistri nich tankou machin solè oswa aplikasyon pou espas, tout mizisyen selil solè yo ap fè efò pou konstwi ak mache yo ak entansyon pou bay gwo fen. ak solisyon kalitatif pou konsomatè yo. Selil solè bifasyal yo ap pran anpil popilarite. Si yo byen pozisyone nan rejyon ouvè oswa sifas ki plat yo, yo ka absòbe limyè epi yo kapab pwodwi enèji elektrik nan tou de sifas yo- fini bay jiska 30% ogmante pwodiksyon pase selil konvansyonèl ou yo.

Selil solè PERT: Ki jan yo travay? 

PERT la vle di Passivated Emetteur Dèyè Totalman Difize selil yo. Yo gen yon sifas ki difize dèyè, ki se yon chanjman radikal soti nan tokay konvansyonèl yo ki sèvi ak aliminyòm-alyaj BSF la. Senpleman mete, emetè a nan yon wafer ki baze sou p-tip kreye pa difizyon fosfò, epi BSF la akonpli atravè dopaj bor nan p-PERT. 

Selil PERT yo iminize kont obliterasyon limyè-pwovoke epi yo ka aklimate nan yon fòm selil bifasyal. Sa yo te dènyèman pike enterè nan sektè solè PV la ak inivèsite rechèch. Syantis PV yo ap eseye achitekti selil altènatif pou amelyore efikasite selil solè Si ki kapab itilize nan domèn endistriyèl- espesyalman kounye a ke estrikti PERC ki trè enpòtan an parèt yo te atenn plato a nan papòt efikasite transfòmasyon pouvwa posib li yo.

Efikasite selil solè PERT

 Anba paramèt nòmal AM1.5 spectre nan 25 °Celcius tanperati, segondè-efikasite pasivasyon emeteur; Passivated Emetteur Dèyè Totalman Difize selil yo reyalize yon efikasite konvèsyon enèji apeprè 25 pousan. Sa a se figi efikasite konvèsyon enèji ki pi prometteur tout tan tout tan anrejistre pou yon selil Silisyòm ki baze sou yon substra Silisyòm ki pa FZ. Difizyon bore modere nan estrikti selil PERT selil la pa sèlman diminye rezistans seri selil la, men tou li ogmante vòltaj sikwi louvri li yo. 

P-tip PERC V/S N-tip PERT 

PERC a, ki vle di estrikti kontak dèyè pasivasyon emèt, prezante yon jaden sifas dèyè lokalize, ki se diferans prensipal ant yon PERC p-tip ak yon PERT n-tip (BSF). BSF a se sired pandan metal ko-tire operasyon pa dopaj Al nan Si. Lè yo etabli konjonksyon wo-ba ak p-tip Si baz wafer, BSF ede nan amelyore efikasite selil solè. Kourè minorite yo repouse pa lyen sa a, ki anpeche yo rekonekte sou sifas do wafer Si la. 

Sifas la tounen nan yon estrikti PERT, okontrè, se "konplètman difize" ak bor (p-tip) oswa fosfò (n-tip). Teknoloji selil solè PERT yo itilize pi souvan nan selil Si n-tip. Sa a se benefisye de tolerans siperyè nan kontaminasyon metalik, koyefisyan tanperati ki ba, ak redwi limyè-induit diminisyon nan n-tip Si gaufrèt sou p-kalite Si wafers. Paske esansyèl nan yon wafer n-tip chaje ak fosfò, pann nan limyè-induit minimize nan n-tip Si, prezimableman akòz pi ba pè bor-oksijèn. 

Malgre sa, "totalman difize" BSF a egzije travay nan metòd inovatè tankou segondè-tanperati POCL ak difizyon BBr3. Kòm yon rezilta, fabrike selil solè PERT yo pi chè pase PERC. 

Poutan, la  Passivated Emetteur Dèyè Totalman Difize BSF plen zòn selil yo ka bay yon rannman pasivasyon junction wo-ba pi efikas pase BSF ki baze sou AL nan PERC la. Estrikti tinèl oksid pasivasyon kontak (TOPCON) kapab tou entegre ak n-tip PERT. Li gen kapasite pou fasilite pwodiksyon aparèy la menm plis. 

Akòz plim substrate Si la ak lavi minorite pwolonje epi pa gen okenn degradasyon konplèks BO ki asosye, selil solè N-tip Silisyòm yo piti piti ap monte wo sou tablo popilarite yo. Akòz senplisite pwosesis la, Bifacial Passivation Emitter ak PERT n-type selil solè yo se solisyon trè efikas ki ka fasilman endistriyalize. Jenerasyon P + emeteur se te youn nan teknik PERT ki enpòtan pou remake. Pandan plizyè ane, difizyon BBr3 te etabli pou fabrikasyon an mas, men endistriyalizasyon selil solè n-tip te anpeche pa omojèn dopant ak entegrasyon pwosesis. Konbinezon an nan kouch vire lank bor ak difizyon POCl3 nan selil solè n-PERT yo te etidye ak dokimante nan yon fè rechèch sou papye. Selil solè ak yon bifaciality ki gen plis pase 90 pousan yo te jwenn yon efikasite ki gen plis pase 20.2 pousan, dapre rezilta yo.

Selil solè PERT bifasyal n-kalite a ka pwodwi lè l sèvi avèk yon koule pwosesis ki gen ladan yon implanting ion pou dopaj yon sèl-sided. Li mennen nan bon jan kalite eksepsyonèl junction emeteur ak konsistans.

Selil solè PERT bay plizyè avantaj, pifò ladan yo ki nan lis anba a:

●      Kontrèman ak selil solè PERC yo, vèsyon PERT a rive jwenn gwo efikasite atravè pasivasyon sou milti-materyèl, sa vle di Boron BSF PERT milti plafon, ki pa gen okenn degradasyon limyè-induced (LID).

●      Pri de an komen se menm jan ak selil PERC yo.

●      Liy PERT a ka itilize tou pou selil mono feminen oswa bifas, bay li anpil adaptabilite.

PERT manifakti selil solè 

Selil solè PERT yo fabrike lè l sèvi avèk yon varyete metòd inovatè ak konbinezon pou optimize kalite selil diferan. Pou plis pase dis ane, nouvo teknoloji entelijan tankou Presyon atmosferik Chimik Vapè Depozisyon (APCVD) sistèm yo te konsakre nan fabrikasyon rann machandiz ak akseptab segondè. Anplis de sa, lè l sèvi avèk orizontal tib founo a, emeteur fosfò ak bor BSF yo bay nan yon sik chalè sèl, sa ki lakòz dire sik pi kout. Paske Passivated Emetteur Dèyè Totalman Difize selil yo ka itilize tou nan modil tradisyonèl back-sheet, rkonfigirasyon liy fabrikasyon an pou ale soti nan fabrike mono feminen ak bifacial se yon travay nan kèk èdtan sèlman.